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320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器,此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機銷售商的機械設計。
產品時間:2022-11-02
訪問量:3092

LD-FPA-320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

InGaAs短波焦平面探測器產品應用在近紅外成像和光譜技術成像上,包括非制冷型(無TEC)和制冷型(TEC)型。產品應用穩定成熟的工藝,并已實現量產。該產品選用常規封裝,便于CCD與CMOS相機集成商的機械設備;集成嵌入式TEC進一步提高了探測器的靈敏度,并通過密閉金屬封裝來實現其高可靠性。

產品型號

InGaAs面陣探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合,同時采用LCCKovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。


型號

FPA-320×256-C

FPA-320×256-K-TE1/TE2

FPA-320×256-K-2.2-TE2

材料

InGaAs

InGaAs

InGaAs

響應波段

0.9um-1.7um

0.9um-1.7um

1.2um-2.2um

圖像分辨率

320×256

320×256

320×256

像元尺寸

30um

30um

30um

靶面尺寸

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

封裝

44-pin CLCC

28-pin MDIP

28-pin MDIP

重量

1.6g

24.6g/25.6g

24.6g

有效像元率

>99.5%

>99%

>97%

暗電流

<0.4pA

≤0.4pA

≤10pA

量子效率

70%

70%

70%

填充率

99%

99%

99%

串擾

1%

1%

/

探測率

≥5×1012J

≥5×1012J (TE1)

7.5×1012J(TE2)

1012J

響應非均勻性

10%

10%

≤40%

非線性(最大偏差)

≤2%

≤2%

≤2%

最大像素率

10MHz

10MHz

10MHz

增益

High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-

High:13.3uV/e-

Low:0.7 uV/e-

High:13.3uV/e-

Low:0.7 uV/e-

滿阱容量

High:170Ke- Low:3.5Me-

High:170Ke- Low:3.5Me-

High:170Ke- Low:3.5Me-

TEC 制冷

TE1/TE2

TE1/TE2

工作溫度

-20℃—85℃

-20℃—85℃

-20℃—85℃

儲存溫度

-40℃—85℃

-40℃—85℃

-40℃—85℃

功耗

175mw

175mw**

175mw**





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